Описание
- G18– Модель фотоэлектрических датчиков
- G16 – Прямоугольный датчик (21х15,5х40мм)
- G18 – Цилиндрический датчик Ø18мм
- G50 – Прямоугольный датчик (50х50х18мм)
- 3 – Напряжение питания (2 – 90…250VAC; 3 – 6…36VDC; 4 – 12…240VDC/24…240AC)
- A– Способ обнаружения
- A – Отражение от объекта (прямого действия)
- B – Отражение от световозвращателя (отражающего действия)
- C – Барьерный
- E – Щелевой
- 30– Расстояние срабатывания
- 01:1мм;05:5мм;10:10мм;1:1м
- N– Тип выхода
- N – NPN транзистор
- P – PNP транзистор
- L – двухпроводной DC выход
- A – симистор NO
- B – симистор NC
- J – реле
- A– Состояние выхода
- A – нормально открытый NO
- B – нормально закрытый NC
- C – универсальный NO+NC
Технические характеристики
Метод срабатывания | Отражение от объекта | |||
---|---|---|---|---|
Модель | Расстояние срабатывания | Напряжение питания | Выход | |
Тип | Состояние | |||
G16-3A 10NA | 10см | DC 10-30V | NPN | NO |
G16-3A 10NB | NPN | NC | ||
G16-3A 10PA | PNP | NO | ||
G16-3A 10PB | PNP | NC |
Метод срабатывания | Отражение от световозвращателя | |||
---|---|---|---|---|
Модель | Расстояние срабатывания | Напряжение питания | Выход | |
Тип | Состояние | |||
G16-3B1NA | 1м | DC 10-30V | NPN | NO |
G16-3B1NB | NPN | NC | ||
G16-3B1PA | PNP | NO | ||
G16-3B1PB | PNP | NC |