Датчики фотоэлектрические BM

Autonics в Перми

Датчики фотоэлектрические общего назначения

Фотоэлектрические датчики серии BM просты в установке и использовании в различных промышленных системах. У этих датчиков имеется встроенная защита от неправильной полярности подключения, а диффузные модели оснащены встроенными регуляторами чувствительности. Доступны датчики серии BM следующих типов: срабатывающие при пересечении луча, c диффузным отражением и отражением от рефлектора.

Уточняйте цену

Основные характеристики

  • Доступны датчики с различными типами обнаружения: срабатывающие при пересечении луча, c диффузным отражением и отражением от рефлектора
  • Регулятор чувствительности (датчики с диффузным отражением)
  • Простая установка с помощью болтов / винтов
  • Встроенная защита от неправильной полярности

Модельный ряд

МодельХарактеристики
BM3M-TDT1,2
  • Принцип работы : На пересечение луча
  • Расстояние срабатывания : 3м
  • Объект обнаружения : Непрозрачный материал с мин. Ø8мм
  • Источник света : Инфракрасный LED (940нм)
  • Время срабатывания : Макс. 3мс
  • Напряжение питания : 12-24V DC ±10% (пульсации P-P: макс. 10%)
  • Режим работы : На затемнение
  • Управляющий выход : NPN с открытым коллектором
BM1M-MDT
  • Принцип работы : Рефлекторный
  • Расстояние срабатывания : 1м (MS-2)
  • Объект обнаружения : Непрозрачный материал с мин. Ø60мм
  • Источник света : Инфракрасный LED (940нм)
  • Время срабатывания : Макс. 3мс
  • Напряжение питания : 12-24V DC ±10% (пульсации P-P: макс. 10%)
  • Режим работы : На затемнение
  • Управляющий выход : NPN с открытым коллектором
BM200-DDT
  • Принцип работы : Диффузный
  • Расстояние срабатывания : 200мм
  • Объект обнаружения : Непрозрачный, полупрозрачный, прозрачный материал
  • Источник света : Инфракрасный LED (940нм)
  • Время срабатывания : Макс. 3мс
  • Напряжение питания : 12-24V DC ±10% (пульсации P-P: макс. 10%)
  • Режим работы : На свет (опция: на затемнение)
  • Управляющий выход : NPN с открытым коллектором